தமிழ் ஒருங்கிணைப்பியல் மற்றும் குறிப்பயஞ்சில்லியல் அருஞ்சொற்பொருள்/TAMIL VLSI AND ASIC DESIGN GLOSSARY

 
A - வரிசை
ACTIVE AREA - செயலகம் - மாழைவுயிரகத் திரிதடையங்கள் உருவாகும் பகுதி
APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUIT (ASIC) - குறிப்பயஞ்சில்லு, குறிப்பயன் ஒருங்கிணைச்சுற்று
 
B - வரிசை
BARRIER VOLTAGE - தடங்கல் மின்னழுத்தம் - ஒரு நேரக-எதிரக சந்தியின் (pn junction) குறைபாடகத்திலுள்ள (depletion region) மின்னழுத்தம்
BODY EFFECT - உடல் விளைவு - ஒரு மாழை உயிரகியில் (MOSFET) மூலவாய் மின்னழுத்தம் (source voltage) அதிகரிப்பால் கருவுணர் மின்னழுத்தம் அதிகரிப்பது; தொடரிணைக்கப்பட்ட மாழை உயிரகிகள் ஒரே அடித்தள மின்னழுத்தம் (substrate voltage) இருந்தும் மேல் நோக்கியுள்ள சாதனங்களில் கருவுணர் மின்னழுத்தம் படிப்படியாக அதிகரிக்கும்; Vthn > .. ..> Vth1 > Vth0
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT) - (சந்தித்) திரிதடையம் - இருமுனைவுச் சந்தித் திரிதடையம்' என்பதன் குறுக்கம்
BUFFERED OXIDE ETCH - தாங்கலுயிரக அரிபொருள்
BUILT-IN SELF TEST (BIST) - தன்னகச்சோதனை- சில்லுகளின் செயல்பாடு அல்லது தயாரிப்பு வழுகளை கண்டறியும் பலகை சில்லுகளில் உள்ளடங்கிய தன்னியக்கச் சோதனை முறை
BULK AREA - திரளகம் - ஒரு சீவலின் துவக்க மூலதனம்; இதன் மீது திரிதடையங்கள் படிதல் (deposition) மூலமாக உருவாக்கப்படுகின்றன; வேற்றுக் கலைச்சொல் அடித்தளம் (substrate)
 
C - வரிசை
CHANNEL LENGTH - தட நீளம்
CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION - வேதி வளிமப் படிதல் - இந்த முறையில் வெடிமையற்றத் திண்மப் படலம் (non-volatile solid film) வளிம வினைபடுபொருள் (gas reactant) அடித்தளத்துடன் (substrate) ஏற்படும் வினையால் உருவாகிறது. இந்த செய்முறை பொடிம அல்லது பல்படிக மண்ணியம் (amorphous or polycrystalline silicon), மணல்மம் (silica), மண்ணியம் ருசரகம் (silicon nitrite) அல்லது ஒருப்படிக மண்ணிய (monocrystalline silicon) ஆடைப்படல (epitaxial layer) வளர்ச்சியில் பயன்படுத்தப்படுகிறது; இந்த வினை ஒரு சிறப்பு வினையறையில் (reaction chamber) நடத்தப்படுகிறது.
CLOCK (SIGNAL) - கடிகை(க் குறிகை)
CLOCK GATING - கடிகை வாயிலிடுதல் - மின் திறன் சிக்கனப்படுத்தலாக்காக கடிகைக் குறிகைகளை (clock signals) சில குறிப்பிட்ட தருக்கங்களுக்கு செல்லுவதை வாயில் மூலமாக செயலிழக்கச் செய்தல்
CLOCK ROUTING - கடிகைத் திசைவு
CLOCK SPINE - கடிகை முதுகுத்தண்டு - கடிகை ஒரு மூல மின்தடமாக பரப்பட்டு அதிலிருந்து கிளை மின்தடங்கள் பிரிகின்றன
CLOCK TREE (SYNTHESIS) - கடிகை மர(ம்) (இணைப்பாக்கம்)
COMPLIMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) (TECHNOLOGY) - நிரப்பு மாழை உயிரகம் (உயிரகத் தொழில்நுட்பம்)
CONSTRAINT - கட்டாயம் - சில்லு வடிவமைப்பில் பொதுவாக பரப்பு (area), காலம் (timing), பெருமக் கடிமை அலைவெண் (maximum clock frequency) மின்திறன் விரயம் (power dissipation) ஆகிய கட்டாயங்கள் சந்திக்கப்படுகின்றன
CONSTRAINT FILE - கட்டாயக் கோப்பு - கட்டாயங்கள் விவரிக்கப்பட்டக் கோப்பு; இதில் பொய்ப்பாதைகள் (false paths), பலசுழற்சிப் பாதைகள் (multi-cycle path), உள்ளீடு ஆயத்த நேரம் (input setup time) ஆகியவையும் விவரிக்கப்படுகின்றன
COURSE GRAIN CLOCK GATING - திரளளவு மின்திறன் வாயிலிடல் - இந்த வாயிலிடல் கட்டமைப்பில் பல வரையறு கலன்களுக்கு (standard cells) ஒரு வாயிலிடு திரிதடையம் (gating transistor)அமைக்கப்படுகிறது
CROSS-TALK - குறுக்குப் பேச்சு
CUSTOM IC - தனிப்பயஞ்சில்லு, தனிப்பயன் ஒருங்கிணைச்சுற்று
 
D - வரிசை
DEMULTIPLXER - தனிப்பிரிப்பி
DEPLETION REGION - குறைபாடகம் - எதிர்மக் குறைக்கடத்தியும் (n-type semiconductor) நேர்மக் குறைக்கடத்தியும் (n-type semiconductor)பிணைக்கப்படும் போது, எதிரகத்திலிருந்து (n region) எதிர்மின்னிகள் (electrons) நேரகத்திற்கும், நேரகத்திலிருந்து (p-region) மின்குழிகள் (holes) எதிரகத்திற்கும் பாய்கின்றன; இவை முறையே எதிரகத்தில் நேரூட்டம் உடைய வழங்கணுக்களும் (+ve charged donor atoms in n-region) நேரகத்தில் எதிரூட்டம் உடைய ஏற்பணுக்களும் (-ve charged acceptor atoms in p-region) உருவாக்குகின்றன. இந்த ஈடுகட்டாத மின்னூட்டணுக்கள் மின்புலத்தை ஏற்படுத்துகின்றன. இந்த மின்புலம் (electric field) மேலும் மின்னூர்திகளின் (charge carriers) விரவலை எதிர்க்கின்றன. இந்த மண்டலத்தில் சமநிலையில் (equilibrium) ஒரு மின்னழுத்தத்தை ஏற்படுத்துகிறது; இந்த மின்னழுத்தம் அளிப்பு மின்னழுத்ததிற்கு எதிர்திசையில் அமையும்
DEPOSITION - படிதல் - மண்ணியம் (silicon), மணல்மம் (silica) அல்லது மாழை அடுக்கு ஒரு அடித்தளம் மீது உருவாக்கும் முறை
DIE - வகுமம்
DIFFUSION - விரவல் - குறைக்கடத்தி தயாரிப்பு செய்முறையில், குறைக்கடத்தி மூலதனம் 1000-1200C சூட்டில் மாசு வளிமம் (dopant gas) முன்னிலையில் சூடேற்றப்படுகிறது. மாசு அணுக்களின் செறிவு குறைக்கடத்தியின் வெளிப்புறத்தில் அதிமாகவும், குறைக்கடத்தியின் உட்புறத்தில் குறைவாகவும் இருப்பதால், மாசு அணுக்கள் குறைக்கடத்திக்குள் விரவல் மூலம் பிணைந்துவிடுகின்றன
DIFFUSION AREA - விரவலகம்
DIFFUSION CAPACITANCE - விரவல் மின்தேக்கம் - மூலவாய்-திரளகம் (source-bulk) மற்றும் வடிவாய்-திரளக (drain-bulk) நேரக-எதிரக சந்திகளின் (pn junctions) பின்னோக்குச் சாருகையால் (reverse-biased) உருவாகும் மின்தேக்கம்; இந்த மின்தேக்கம் நேரியலற்றது; பின்னோக்குச் சாருகை அதிகரிப்பில் குறையும்; இதன் வேற்றுக் கலைச்சொல் சந்தி மின்தேக்கம் (junction capacitance)
DISSIPATION - மின்விரயம்
DRAIN DIFFUSION - வடிவாய் விரவலகம்
DRY ETCHING - உலர் அரிபொறிப்பு - அணுகன் (Xenon) போன்ற மந்தவளிமத்தை (inert gas) சூடேற்றி, அதனால் உருவாகும் உயர் வேக மின்னூட்டணுக்களை குறைக்கடத்தியின் மேற்பரப்பில் மோதச் செய்து நீக்கும் முறை
DYNAMIC POWER - இயங்கு மின்திறன் - ஒரு நிரப்புமாழைவுயிரக வாயில் (CMOS gate) நிலைமாறும்போது செலவாகும் மின்தறன்; மின்திறன் ஆற்றல் வெளிக்கணு மின்தேக்கத்தை (output node capacitance) மின்னூட்டுவேற்ற/இறக்க பயனாகிறது; 0V-Vdd மின்னூட்டுவேற்றம் போது, மின்விரயம் நேர்மாழைவுயிரகியில் (PMOS) ஏற்படுகிறாது; Vdd-0V மின்னூட்டுவிறக்கம் போது மின்விரயம் எதிர்மாழைவுயிரகியில் (NMOS) ஏற்படுகிறது
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) - இயங்குகுறிப்பில்நினைவகம்
DYNAMIC TIMING ANALYSIS - இயங்கு(கால)ப்பகுப்பாய்வு - இந்தக் காலப்பகுப்பாய்வில் சுற்றுப்போல்மங்கள் (SPICE Models) பயன்படுத்தப்படுகிறது
 
E - வரிசை
ELECTRON - எதிர்மின்னி
ELECTRICALLY ERASABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) - மின்னழிநிரல் நினைவகம்
ELECTRONIC DESIGN AUTOMATION - மின்வடிவமைப்பியல்
EMULATOR - போன்றி
ENABLE FLIP-FLOP - செயலாக்க எழுவிழுவி
EPITAXIAL GROWTH - ஆடைப்படல வளர்ச்சி - ஒரு தட்டையான ஒற்றைப்படிக மூலதனத்தை (single crystalling material) ஒரு அடித்தளம் மீது படிதல், வழக்கமாக வேதி வளிமப் படிதல் (chemical vapour deposition) முறையில்; எ.டு. ஆக படிக மண்ணியம் (crystalline silicon) மண்ணிய அடித்தளம் (silicon substrate) மீது படிதல்; இதற்கு வேறு பெயர் ஆடைப்படலமிடல் (epitaxy)
EPITAXIAL LAYER - ஆடைப்படலம்
ETCHANT - அரிபொருள் - ஒரு சீவலின் மறைக்கப்படாத மேற்பரப்பை நீக்க உதவும் நீர்ம அல்லது வளிம கார அல்லது அமில வேதிப்பொருள்; சில அரிபொருட்களின் எடுத்துக்காட்டுகள் சாம்பரம் நீரகவுயிரகம் (potassium hydroxide), தாங்கலுயிரக அரிபொருள் (buffered oxide etch), கந்தகம் அறுவினைவியம் (sulfur hexaflouride)
ETCHING - அரிபொறிப்பு - குறைக்கடத்தி மூலதனத்தை சீவலின் மேற்பரப்பிலிருந்து குறிப்பிட்ட வகுதிகளில் நீக்கல்; அரிபொறிப்பில் இரண்டு வகைகள் அ)உலர் அரிபொறிப்பு (dry etching); ஆ)ஈர அரிபொறிப்பு (wet etching)
 
F - வரிசை
FAB - புனைவகம்
FABRICATION - புனைவு
FALSE PATH - பொய்ப்பாதை - ஒரு வடிவமைப்பில் செயற்கூறில் உண்மையாக ஈடுபடாத குறிகைப் பாதை; எ.டு. இரண்டு ஒத்தியங்காக் கடிகைகளுக்கு (asynchronous clocks) இடையே உள்ளப் பாதை; அல்லது இரண்டு பன்மையாக்கி (multiplexer) அல்லது தனிப்பிரிப்பி (demultiplxer) தேர்வு குறிகைகளுக்கு (select signals) இடையே உள்ளப் பாதை
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) - புலவிளைவி - 'புலவிளைவுத் திரிதடையம்' என்பதன் குறுக்கம்
FINE GRAIN CLOCK GATING - துள்ளியவளவு மின்திறன் வாயிலிடல் - இந்த வாயிலிடல் கட்டமைப்பில் ஒவ்வொரு வரையறு கலத்திற்கு (standard cell) ஒரு வாயிலிடு திரிதடையம் (gating transistor) அமைக்கப்படுகிறது
FLIP-FLOP - எழுவிழுவி
 
G - வரிசை
GAS REACTANT - வளிம வினைபடுபொருள்
GATE - வாயில்
GATE ARRAY - வாயிலணி
GATE DIRECT TUNNELLING LEAKAGE CURRENT - வாயில்வாய் சுரங்கூடுருவு கசிவு மின்னோட்டம் - ஒரு மாழையுயிரகியின் (MOS ) வாயில்வாயிலிருந்து (gate) அடித்தளத்திற்கு பாயும் கசிவு மின்னோட்டம். இதன் அளவு வாயிலுயிரகத்தின் (gate oxide) தடிமம் Tox மற்றும் வழங்கல் மின்னழுத்தம் VDD ஆகியவைகளுக்கு அடுக்குக்குறி வீதத்தில் (exponentially) சார்ந்துள்ளது. எனவே, ஒவ்வொரு 0,2nm வாயிலுயிரக தடிமம் குறைப்பு கசிவு மின்னோட்டத்தை பத்து மடங்கு அதிகரிக்கும்
GATE-DRAIN CAPACITANCE (Cgs) - வாயில்வாய்-வடிவாய் மின்தேக்கம்
GATE OXIDE - வாயிலுயிரகம்
GATE-SOURCE CAPACITANCE (Cgs) - வாயில்வாய்-மூலவாய் மின்தேக்கம்
GATED CLOCK - வாயிலிடப்பட்டக் கடிகை - மின் திறன் சிக்கனப்படுத்தலாக்காக வாயில் மூலமாக செயலிழக்கச் செய்யப்பட்டக் கடிகை
GATING TRANSISTOR - வாயிலிடு திரிதடையம்
GLUE LOGIC - பசைத்தருக்கம்/பசையேரணம் - வாயில்கள் நிரல்படு சாதனங்களுக்குப் (programmable devices) புறமாக தனித்தனி சில்லுகளாக சுற்றுப்பலகையில் அமைத்தல்
GRID - நெய்யரி
 
H - வரிசை
H-TREE (CLOCK SYNTHESIS) - H-மரம் (மரக் கடிகை இணைப்பாக்கம்) - இந்த கடிமை பரப்புகை முறையில் கடிகை சில்லின் மையப் பகுதியிலிருந்து தொண்டங்கி, இடையகங்கள் (buffer) மூலகாக வட்டச் சமச்சீராக (circularly symmetrical) பரப்பப்படுகிறது. ஆங்கில எழுத்து H வடிவத்தில் மின்தடங்கள் அமைக்கப்படுகின்றன. Hஇன் நடுவில் இடைமுகத்தின் வெளியீடும், Hஇன் நான்கு கிளை முனைகளிலும் மேலும் நான்கு இடைமுகங்கள் இணைக்கப்பட்டு கடிகை மீள்சுருளாக (recursively) பரப்பப்படுகிறது
HOLD TIME - பிடி நேரம் - ஒரு தாழ் (latch) அல்லது எழுவிழுவி (flip-flop) ஒரு தரவை உறுதியாக பதிவுசெய்வதற்கு ஒரு கடிகையின் செயல்விளிம்பிற்கு பின்னதாக குறைந்தபடியாக தரவுக்குறிகை (data signal) நிலையாக இருக்க வேண்டிய நேரம்
HOLE - மின்குழி
 
I - வரிசை
IMPLEMENTATION - செயற்படுத்தல்
INPUT NODE CAPACITANCE - நுழைக்கணு மின்தேக்கம் - இது வாயிலுயிரகத்தின் (gate oxide) மின்தேக்கத்தால் ஆனது
INTERCONNECT - இடைவிணைப்பு
INTERNAL POWER - உள் மின்திறன் - உள்ளீடு மாறும் போதும், ஆனால் வெளியீடு மாறாமல் இருக்கும் நிலையில் ஏற்படும் மின்திறன் விரயம்
INTELLECTUAL PROPERTY (IP) BLOCK - அறிவுசார்க்கூறு
INVERSION CHARGE - தலைகீழக மின்னூட்டம்
INVERSION LAYER - தலைகீழகம்
ION IMPLANTATION - மின்னூட்டணுப் பதித்தல் - குறைக்கடத்தி விரவலின் போது, மின்புலம் மூலம் மாசுவணுக்களை முடக்கமடையச் செய்தல். மாசுவணுக்களின் உயர்ந்த இயக்கவாற்றலால் (kinetic energy), குறைக்கடத்தி அடித்தளத்தில் (substrate) நேர்குத்தாக ஆழமாக பிணைந்துவிடுகின்றன.
ISOLATION CELL - தனிமைக்கலம் - மின்திறன் வாயிலிடல் முறையின்போது, வலைமப்பட்டியலில் சேர்க்கப்படும் சிறப்புக் கலங்கள். இந்தக் கலங்கள் மின்திறன் வாயிலிடு கூற்றையும் (power-gated block) வழக்கமான நிகழ்நிலைக் கூற்றுக்களையும் (normally-on block) தனிமைப்படுத்தும். தனிமைக்கலங்களில் குறைந்த அடிக்கருவுணர் குறுக்குச்சுற்று மின்னோட்டப் (sub-threshold short-circuit current) பண்புகளுடன் வடிவமைக்கப்படுகின்றன. தனிமைக்குறிகைகள் (isolation signals) பிறகுசேர்க்கப்பட்ட மின்திறன் கட்டுப்படுத்தி (power controller) மூலமாக பெறப்படுகின்றன. தனிமைக்கலங்கள் எளிமையான அல்லதுவாய்கள் (OR gate) அல்லது உம்மைவாயில்கள் (AND gate) மூலமாக செயற்படுத்தப்படுகின்றன
 
J - வரிசை
JUNCTION CAPACITANCE - சந்தி மின்தேக்கம் - மூலவாய்-திரளகம் (source-bulk) மற்றும் வடிவாய்-திரளக (drain-bulk) நேரக-எதிரக சந்திகளின் (pn junctions) பின்னோக்குச் சாருகையால் (reverse-biased) உருவாகும் மின்தேக்கம்; இந்த மின்தேக்கம் நேரியலற்றது; பின்னோக்குச் சாருகை அதிகரிப்பில் குறையும்; இதன் வேற்றுக் கலைச்சொல் விரவல் மின்தேக்கம் (diffusion capacitance)
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR (JFET) - சந்தியி, சந்திப் புலவிளைவி - 'சந்திப் புலவிளைவுத் திரிதடையம்' என்பதன் குறுக்கம்
 
K - வரிசை
 
L - வரிசை
LATCH - தாழ்
LATERAL DIFFUSION - பக்கவாட்ட விரவல் - மூலவாய் (source) மற்றும் வடிவாய் (drain) பகுதிகளில் விரவல் வாயிலுயிரகத்தின் (gate-oxide) அடியில் ஊடுறருவுகிறது, இதனால் மாழைவுயிரகியின் (MOS transistor) செயல் தட நீளம் (effective channel length) சிறிதளவு குறைகிறது; இதனால் மேல்வீழல் மின்தேக்கம் (overlap capacitance) எனப்படும் மாறிலி மின்தேக்கம் உருவாகுகிறது
LAYOUT - மனையமைவு
LEAKAGE CURRENT - கசிவு மின்னோட்டம் - ஒரு நிரப்புமாழைவுயிரக வாயில் (CMOS gate) கசிவு மின்னோட்டத்தின் உறுப்புகள் : அ)மூலவாய்-வடிவாய் சந்தி கசிவு மின்னோட்டம் (source-drain junction leakage current); ஆ)வாயில்வாய் சுரங்கூடுருவு கசிவு மின்னோட்டம் (gate direct tunnelling leakage current); இ) அடிக்கருவுணர் கசிவு மின்னோட்டம் (subthreshold leakage current)
LITHOGRAPHY - அச்சோவியம் - ஒரு சீவல் (wafer) மீது குறைக்கடத்தி மூலதனங்களை (semiconductor materials) குறிப்பிட்ட வடிவங்களும் படியும் (deposition) அல்லது நீக்கும் (removal) முறை.
LOGIC - தருக்கம், ஏரணம்
LOGIC LEVEL - தருக்க மட்டம், ஏரண மட்டம்
LOGIC SYNTHESIS - ஏரணவிணைப்பாக்கம்
 
M - வரிசை
MACRO - குறுங்கூறு
MARGINING - மாறீடு
MESA TRANSISTOR - பீடத் திரிதடையம்
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (MOS) - மாழை உயிரகக் குறைக்கடத்தி
METAL EPITAXIAL SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (MESFET) - மாழை ஆடையி - 'மாழை ஆடைப்படலப் புலவிளைவுத் திரிதடையம்' என்பதன் குறுக்கம்; இதன் கட்டமைப்பு சந்திப்புலவிளைவி (JFET) போன்றது, ஆனால் வழக்கமான நேரக-எதிரக சந்திக்கு மாறாக மாழை-குறைக்கடத்தி (ஷாட்கி) சந்தி பயனாகிறது
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (MOSFET) - மாழை உயிரகி - 'மாழை உயிரகப் புலவிளைவுத் திரிதடையம்' என்பதன் குறுக்கம்
MULTI-CYLE PATH - பலசுழற்சிப் பாதை - இரு பதிவகங்கள் இடையே வேணுமென ஒரு கடிகைக்கு மேல் தரவு பாய்தல்; பொதுவாக செயலாக்க எழுவிழுவிகளுக்கு இடையே (enable flip-flops) இப்பாதைகள் அமைகின்றன, இங்கு வெவ்வேறு கடிகைச் சுழற்சிகளில் (clock cycles) செயலாக்கக் குறிகைகள் (enable signals) வருகின்றன
MULTI-SUPPLY MULTI-VOLTAGE (MSMV) - பன்மின்வழங்கு பன்மின்னழுத்தம்
MULTIPLEXER - பன்மையாக்கி
 
N - வரிசை
NET - வலைமம்
NETLIST - வலைமப்பட்டியல்
NJFET - எதிர்ச்சந்தியி - 'எதிர்த்தடச் சந்திப் புலவிளைவுத் திரிதடையம் (negative junction field effect transistor)' என்பதன் குறுக்கம்
NMOS TRANSISTOR - எதிர்மாழைவுயிரகி - 'எதிர்த்தட மாழை உயிரகப் புலவிளைவுத் திரிதடையம் (n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor)' என்பதன் குறுக்கம்
NPN TRANSISTOR - எதிர்நேரெதிரி - 'எதிரகம்-நேரகம்-எதிரகம் (NPN) திரிதடையம்' என்பதன் குறுக்கம்
NWELL - எதிர்க்கிணறு
 
O - வரிசை
OFF STATE - அகல்நிலை
ON STATE - நிகழ்நிலை
OUTPUT CAPACITANCE - வெளியீடு மின்தேக்கம் - ஒரு நிரப்புமாழைவுயிரக வாயிலின் (CMOS gate) வெளியீடு மின்தேக்கத்தின் உறுப்புக்கள் அ)வெளிக்கணு மின்தேக்கம் (output node capacitance); ஆ)இடைவிணைப்பு மின்தேக்கம் (interconnect capacitance); இ)நுழைக்கணு மின்தேக்கம் (input node capacitance)
 
P - வரிசை
PACKAGE - பொதியம்
PACKAGING - பொதியவாக்கம்
PAD - நிரப்பிடம்
PAD RING - நிரப்பிட வளையம்
PHOTOLITHOGRAPHY - ஒளியச்சோவியம் - விழியொளி (visible light) அல்லது புறவூதாவொளி (UV light) ஆகியதைப் பயன்படுத்தும் அச்சோவிய முறை; ஒளியச்சோவியத்தின் போது சீவலின் மையத்தில் ஒளித்தடுப்பு (photoresist) இடப்பட்டு சீவல் சில நொடிகளுக்கு சுழற்றப்படுகிறது. இதனால் ஒளித்தடுப்பு சீவலில் பரவிகிறது. சீவலில் ஒரு மறைப்பினால் (mask) மறைக்கப்பட்ட இடங்களில் குறைக்கடத்திப் படிதல் அல்லது நீக்கம் நடைபெறுவதில்லை
PHOTOMASK - ஒளிமறைப்பு - ஒளியச்சோவிய செய்முறையில் (photolithographic process) பயனாகும் ஒளிப்புகா வகுதிகள் நிறைந்த எதிர்மத் தெளிதகடு (negative transparency); இதன் மாற்று ஆங்கிலக் கலைச்சொல் reticle
PHOTORESIST - ஒளித்தடுப்பு
PIN - முள்
PIN PLACEMENT - முள்ளிடவமைவு
PJFET - நேர்ச்சந்தியி - 'நேர்த்தடச் சந்திப் புலவிளைவுத் திரிதடையம் (positive junction field effect transistor)' என்பதன் குறுக்கம்
PLACE AND ROUTE - இடவமைவுத் திசைவு
PLACEMENT - இடவமைவு
PMOS - நேர்மாழைவுயிரகி - 'நேர்த்தட மாழை உயிரகப் புலவிளைவுத் திரிதடையம் (p-channel metal oxide semiconductor field effect transistor)' என்பதன் குறுக்கம்
PN JUCTION - நேரக-எதிரக சந்தி
PNP TRANSISTOR - நேரெதிர்நேரி - 'நேரகம்-எதிரகம்-நேரகம் (PNP) திரிதடையம்' என்பதன் குறுக்கம்
POLY - பல்படிகம் - பொதுவாக 'பல்படிக மண்ணியம் (polycrystalline silicon)' என்பதற்கு குறுக்கம்
POLYCRYSTALLINE SILICON - பல்படிக மண்ணியம்
POWER - மின்திறன்
POWER DISSIPATION - மின்திறன் விரயம் - ஒரு நிரப்புமாழைவுயிரக வாயிலின் மின்திறன் உறுப்புகள் : அ)கசிவு மின்னோட்டம்; ஆ)குறுக்கு மின்னோட்டம் (short circuit current), இதன் வேறு பெயர் 'நிலைமாறு மின்னோட்டம் (switching current)'; இ)மின்தேக்கச் சுமையின் (capacitive load) மின்னூட்டவேற்றம்/இறக்கம்
POWER GATING - மின்திறன் வாயிலிடல்
POWER SUPPLY - மின்வழங்கி
PRE-SILICON EMULATION - புனைவு முன்போன்றல்
PWELL - நேர்க்கிணறு
 
Q - வரிசை
 
R - வரிசை
RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) - குறிப்பில்நினைவகம்
REACTANT GAS - வளிம வினைபடுபொருள்
RETENTION CELL - நினைவுகைக்கலம் - மின்திறன்வாயிலிடலின் (power gating) போது முறைமையின் நிலை நினைவுகை (state retention) ஒரு முக்கியமாகத் தேவைப்படும் பண்பு. ஒரு செயற்படுத்தலில், முறைமையின் நிலை வருடப்பட்டு (scanned), ஒரு குறிப்பில்நினைவகத்தில் எழுதப்படுகிறது; முறைமை எழுப்பப்படும் போது, திரும்ப அந்நினைவகத்திலிருந்து நிலைத்தரவுகள் படிக்கப்படுகின்றன; நினைவுகைப் பதிவகங்கள் தாழ்கசிவுப் பதிவகங்களாகவும் (low-leakage registers) செயற்படுத்தப்படுகின்றன
RETICLE - ஒளிமறைப்பு - ஒளியச்சோவிய செய்முறையில் (photolithographic process) பயனாகும் ஒளிப்புகா வகுதிகள் நிறைந்த எதிர்மத் தெளிதகடு (negative transparency); இதன் மாற்று ஆங்கிலக் கலைச்சொல் photomask
RS LATCH (SET RESET LATCH) - நிறுவமை-மீளமை தாழ்
 
S - வரிசை
SCAN CHAIN - வருடல் சங்கிலி - சோதனைத்தகு வடிவமைப்பு (Design for Test - DFT) முறை, இதில் சில்லுகளில் சிறப்பான வருடல் பதிவகங்கள் (scan registers) சங்கிலித் தொடர்களாக அமைக்கப்படுகின்றன. ஒவ்வொரு சங்கிலித் தொடரும் சில்லின் குறிப்பிட்ட தருக்கக்கூற்றுகளின் (logic blocks) செயல்பாடு (functional) அல்லது தயாரிப்பு (manufacturing) சோதனை துழாவுகையை (test coverage) அளிக்கின்றது
SCAN INSERTION - வருடல் உட்சேர்ப்பு - சோதனைத்தகு வடிவமைப்பு (Design for Test - DFT) முறை, சோதனை செயல்பாடுகளுக்காக சில்லுக்குள் சிறப்பானத் தருக்கம் உட்சேர்த்தல்
SERDES - இயைப்பி
SETUP TIME - ஆயத்த நேரம் - ஒரு தாழ் (latch) அல்லது எழுவிழுவி (flip-flop) ஒரு தரவை உறுதியாக பதிவுசெய்வதற்கு கடிகையின் செயல்விளிம்பிற்கு முன்னதாக குறைந்தபடியாக தரவுக்குறிகை (data signal) நிலையாக இருக்க வேண்டிய நேரம்
SIGNAL INTEGRITY - குறிகை மெய்மை
SIGNAL INTEGRITY ANALYSIS - குறிகை மெய்யாய்வு
SOURCE (TERMINAL) - மூலவாய்
SOURCE DIFFUSION - மூலவாய் விரவலகம்
SOURCE-DRAIN JUNCTION LEAKAGE CURRENT - மூலவாய்-வடிவாய் சந்தி கசிவு மின்னோட்டம் - ஒரு திரிதடையம் அகல்நிலையில் (off-state) இருக்கும்போது, மூலவாய் அல்லது வடிவாயிலிருந்து அடித்தளத்திற்கு பின்னோக்கு சாருகையிடப்பட்ட இருமுனையங்கள் (reverse-biased diodes) வழியாக பாயும் மின்னோட்டம். ஒரு மாழையுயிரக தலைகீழாக்கியை (CMOS inverter), தாழ்மட்ட உள்ளீடு தரப்படும்போது, நேர்மாழையுயிரகி (PMOS) நிகழ்நிலையிலும் (on), எதிர்மாழையுயிரகி (NMOS) அகல்நிலையிலும் (off) உள்ளது. வெளியீடு மேல்மட்டத்தில் உள்ளது. எனவே, எதிர்மாழையுயிரகியின் வடிவாய்-அடித்தளம் மின்னழுத்தம் வழங்கல் மின்னழுத்தத்திற்கு (supply voltage) சமமாகிறது. இந்த கசிவு மின்னோட்ட அளவு வடிவாய் விரவலகத்தின் (drain diffusion) பரப்பளவை சார்ந்துள்ளது. மேலும், கசிவு மின்னோட்ட அடர்வு (leakage current density) செய்முறைத் தொழில்நுட்பத்தைச் (process technology) சார்ந்துள்ளது.
STANDARD CELL - தரவரையறுக் கலம் - குறிப்பயஞ்சில்லுகள் (ASICs) வடிவமைப்பில் அடிப்படை செயற்கூறு கொண்டுள்ள வாயில்களின் தொகுப்பு; சேர்க்கைத் தருக்கம் (combinatorial logic), இழுவிழுவிகள் (flip-flops) போன்ற செயற்கூற்றுகள் தரவரையறைக் கலங்களால் செயல்முறைப்படுத்தப்படுகின்றன
STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) - நிலைக்குறிப்பில்நினைவகம்
STATIC TIMING ANALYSIS - நிலை(க்கால)ப்பகுப்பாய்வு - இந்தப் பகுப்பாய்வில் காலப் போல்மங்கள் பயன்படுத்தப்படுகிறது. பதிவக-பதிவக சுணக்கங்கள் (register-register delay), வெளிப்புற உள்ளீடுகளின் ஆயத்த நேரங்கள் (setup time of external inputs), கடிகை-வெளியீடு சுணக்கங்கள் (clock to output delays) ஆகியவை அறிக்கையிடப்படுகின்றன
STRONG INVERSION - பலத்தத் தலைகீழாக்கம் - ஒரு மாழையுயிரகியின் வாயில்வாய்-மூலவாய் மின்னழுத்தம் (gate-source voltage) கருவுணர் மின்னழுத்தத்தின் மேல் இருந்தால், அதன் தடத்தின் (channel) நிலை
SUBSTRATE - அடித்தளம் - ஒரு சீவலின் துவக்க மூலதனம்; இதன் மீது திரிதடையங்கள் படிதல் (deposition) மூலமாக உருவாக்கப்படுகின்றன; வேற்றுக் கலைச்சொல் திரளகம் (bulk area)
SUB-THRESHOLD LEAKAGE - அடிக்கருவுணர் கசிவு மின்னோட்டம் - ஒரு அகல்நிலை திரிதடையத்திலுள்ள (off transistor) வடிவாய்-மூலவாய் மின்னழுத்தம் (drain-source current). இது மாழையுயிரகியின் தடம் (MOSFET channel) மெலித்த தலைகீழாக்க நிலையில் (weak inversion mode) சிறுபான்மை மின்னூர்திகளின் (minority carrier) விரவலால் (diffusion) நடைபெறுகிறது. எடுத்துக்காட்டாக, ஒரு தலைகீழாக்கியில் (invertor), தாழ்மட்ட உள்ளீடு தரப்படும்போது, எதிர்மாழையுயிரகி (NMOS) அகல்நிலையில் உள்ளது. வெளியீடு மேல்மட்டத்தில் உள்ளது. வாயில்வாய்-மூலவாய் மின்னழுத்தம் (gate source voltage) VGS 0V ஆக இருந்தாலும் இந்த அகல்நிலை எதிர்மாழையுயிரகியின் தடத்தில் மின்னோட்டம் பாய்கிறது, ஏனென்றால் வடிவாய்-மூலவாய் மின்னழுத்தம் (drain-source voltage) VDS வழங்கல் மின்னழுத்தம் VDDக்கு சமமாக உள்ளது
SURFACE PASSIVATION - பரப்புச் செயலறுத்தல் - ஒரு குறைக்கடத்தியின் மேற்பரப்பில் உள்ள பிணைகளை (bonds) வேறு நீரகம் (hydrogen) அல்லது மாழைகள் ஆகியத் தனிமங்களுடன் முடித்துவிடுதல் (terminate); இதனால் குறைக்கடத்தியின் மேற்பரப்பின் உயிரகவேற்றத்தை (oxidation) தடுக்கும்
SYNTHESIS - இணைப்பாக்கம்
 
T - வரிசை
TAPE-OUT - கட்டீடு - சில்லின் மனையமைவு (layout) இறுதிப்படுத்தப்பட்டு தயாரிப்பிற்கு அனுப்பும் கட்டம்
TEST COVERAGE - சோதனைத் துழாவுமை
THRESHOLD VOLTAGE - கருவுணர் மின்னழுத்தம் - ஒரு திரிதடையம் கடத்தா நிலையிலிருந்து கடத்தும் நிலை எல்லைக்குள் வரவைக்கும் வாயில்வாய் (புலவிளைவிகளில் - FETs) அல்லது அடிவாய் (சந்தித் திரிதடையங்களில் ) மின்னழுத்தம்
TIMING ANALYSIS - காலப்பகுப்பாய்வு - இப்பகுப்பாய்வில் சுற்றுக்களின் வெளியீடு குறிகைகள் நிலைப்படையும் நேரங்கள் கண்டறியப்படுகின்றன. அனைத்து பாதைகளிலும் ஆயத்த நேரம் (setup time), பிடி நேரம் (hold time) பூரிப்பு உறுதிப்படுத்தப்படுகிறது
TIMING CONSTRAINT - காலக் கட்டாயம் - இதில் பதிவக-பதிவக சுணக்கம் (register-register delay), பெருமக் கடிகை அலைவெண் (maximum clock frequency), பொய்ப்பாதைகள் (false paths), பலசுழற்சிப் பாதைகள் (multi-cycle paths) ஆகியவை அடங்கும்
TIMING MODEL - காலப்போல்மம்
TRANSMISSION GATE - பரப்புகை வாயில் - ஒரு நேர்மாழையுயிரகியும் (PMOS) எதிர்மாழையுயிரகியும் (NMOS) இணை இணைப்பாகக் (parallelly connected) கொண்ட வாயில், இதில் ஒரு மாழையுயிரகியின் (MOSFET) வாயில்வாய் (gate) மற்றதற்கு நிரப்பாக (compliementary) அமைந்துள்ளது; இந்த வாயிலின் நிகழ்நிலையில் (on state) மின்னோட்டம் எந்தத் திசையிலும் பாயலாம்; நிகழ், அகல் மின்தடுப்பு (on, off resistance) முறையே 100ohm, >5Mohm ஆகும்
 
U - வரிசை
 
V - வரிசை
VALIDATION - செல்லுபடிபார்ப்பு
VERIFICATION - மெய்ப்பார்ப்பு
VIA - வழிமம்
VISIBILITY - விழிமை
 
W - வரிசை
WAFER - சீவல்
WEAK INVERSION - மெலித்தத் தலைகீழாக்கம் - ஒரு மாழையுயிரகியின் வாயில்வாய்-மூலவாய் மின்னழுத்தம் (gate-source voltage) கருவுணர் மின்னழுத்தத்தின் கீழ் இருந்தால், அதன் தடத்தின் (channel) நிலை
WET ETCHING - ஈர அரிபொறிப்பு - அரிபொருள் (etchant) எனப்படும் வேதிப்பொருள் வைத்து குறைக்கடத்தியின் மேற்பரப்பை கரைத்தல்
 
X - வரிசை
 
Y - வரிசை
YIELD - விளைச்சல்

YIELD ANALYSIS - விளையாய்வு